第1章 CAE利用の基礎

• 1-1　CAEとCAD
• 1-2　CAEの基本技術
• 1-3　CAE利用における留意事項
• 1-4　SolidWorksとCOSMOS

第2章 COSMOSWorksによる解析

• 2-1　COSMOSWorks基本操作説明
  • 2-1-1　スタディの作成（解析対象や解析条件の決定）
  • 2-1-2　オプションの設定
• 2-2　C型ブラケットの解析
  • 2-2-1　解析の設定
  • 2-2-2　材料特性の設定
  • 2-2-3　拘束条件の適用
  • 2-2-4　集中荷重の適用
  • 2-2-5　メッシュの作成
  • 2-2-6　解析実行
• 2-3　C型ブラケットの解析結果の評価
  • 2-3-1　結果の表示
  • 2-3-2　結果の評価
  • 2-3-3　評価プロットの追加
  • 2-3-4　モデルの再設計
  • 2-3-5　結果の再評価
• 2-4　携帯電話の落下試験解析
  • 2-4-1　解析の設定
  • 2-4-2　材料特性の設定
  • 2-4-3　落下試験の設定
  • 2-4-4　落下高さの設定
  • 2-4-5　重力の設定
  • 2-4-6　衝撃平面方向の設定
  • 2-4-7　衝撃後の解析時間の設定
  • 2-4-8　結果の保存の設定
  • 2-4-9　解析実行
• 2-5　携帯電話の落下試験解析結果
  • 2-5-1　結果の表示
  • 2-5-2　時刻歴応答の表示
• 2-6　携帯電話の再落下試験解析（柔らかい床の場合）
  • 2-6-1　新しいスタディの作成
  • 2-6-2　弾性床を追加するための落下試験の設定編集
  • 2-6-3　解析実行
• 2-7　携帯電話の再落下試験解析結果
  • 2-7-1　結果の表示
  • 2-7-2　時刻歴応答の表示
• 2-8　携帯電話の2つの落下試験解析結果の比較

第3章　COSMOSFloWorksによる解析

• 3-1　COSMOSFloWorks基本操作説明
  • 3-1-1　ふたの作成
  • 3-1-2　新規プロジェクトの設定
• 3-2　電子チップの熱伝導解析
  • 3-2-1　新規材料の作成
  • 3-2-2　プロジェクトの作成
  • 3-2-3　固体材料の設定
  • 3-2-4　境界条件（入口）の設定
  • 3-2-5　境界条件（出口）の設定
  • 3-2-6　発熱源の設定
  • 3-2-7　温度のボリュームゴールの設定
  • 3-2-8　計算実行
• 3-3　電子チップ解析結果の評価
  • 3-3-1　結果の表示
  • 3-3-2　結果の評価
  • 3-3-3　ヒートシンクの形状変更
  • 3-3-4　結果の再評価
• 3-4　パイプ内を通過する水の内部流れ解析
  • 3-4-1　ふたを作成する前の準備
  • 3-4-2　ふたの作成
  • 3-4-3　プロジェクトの作成
  • 3-4-4　境界条件（入口）の挿入
  • 3-4-5　境界条件（出口）の挿入
  • 3-4-6　計算実行
• 3-5　パイプ内を通過する水の内部流れ解析結果
  • 3-5-1　断面プロット表示（流速のコンター表示）
  • 3-5-2　ベクトルの断面プロット表示
  • 3-5-3　サーフェスプロット表示
  • 3-5-4　流跡線の作成
  • 3-5-5　XYプロットの作成
  • 3-5-6　サーフェスパラメータの作成
  • 3-5-7　結果の評価
  • 3-5-8　パイプの形状変更
  • 3-5-9　結果の再評価

第4章　COSMOSMotionによる解析

• 4-1　COSMOSMotion基本操作説明
  • 4-1-1　グランドパーツと可動パーツの作成
  • 4-1-2　拘束の確認
  • 4-1-3　モーションの設定
  • 4-1-4　シミュレーションパラメータの設定
• 4-2　ピストン・クランク機構の解析
  • 4-2-1　グランドパーツと可動パーツの作成
  • 4-2-2　ジョイントの作成
  • 4-2-3　シミュレーションパラメータの設定
  • 4-2-4　シミュレーション結果の作成
  • 4-2-5　コンロッドの形状変更
  • 4-2-6　結果の再評価
• 4-3　ステアリング・サスペンション機構の解析
  • 4-3-1　グランドパーツと可動パーツの作成
  • 4-3-2　部品のアタッチ
  • 4-3-3　自由度（DOF）の計算
  • 4-3-4　モーションの作成
  • 4-3-5　並進スプリングの作成
  • 4-3-6　線形ダンパの作成
  • 4-3-7　カプラーの作成
  • 4-3-8　ステアリングを制限するモーションの作成
  • 4-3-9　自由度（DOF）の再計算
  • 4-3-10　シミュレーションの実行
  • 4-3-11　トーアングルのプロット
  • 4-3-12　プロットの置き換え
  • 4-3-13　ステアリング切れ角の変更
  • 4-3-14　結果の評価